株洲未錸新材料科技有限公司
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MOCVD
MOCVD即金屬有機化合物化學氣相沉淀，是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。錸因其優(yōu)異的高溫性能，作為MOCVD的關(guān)鍵加熱部件使用。相比其它材料，純錸加熱部件具有電學性能更優(yōu)、壽命更長、更耐惡劣工作氣氛的顯著特點而受到用戶的青睞。
純度：≥99.99%
MOCVD雜質(zhì)含量表
元素 | 含量 （≤，%） | 元素 | 含量 （≤，%） | 元素 | 含量 （≤，%） |
Na | 0.0005 | Ni | 0.0001 | Bi | 0.0001 |
Mg | 0.0001 | Cu | 0.0001 | Co | 0.0001 |
Al | 0.0001 | Zn | 0.0005 | Fe | 0.0005 |
Si | 0.0005 | As | 0.0001 | Pb | 0.0001 |
P | 0.0005 | Zr | 0.0001 | Mn | 0.0001 |
K | 0.0005 | Mo | 0.0005 | W | 0.0005 |
Ca | 0.0005 | Cd | 0.0001 | Cr | 0.0001 |
Ti | 0.0001 | Sn | 0.0001 | Ta | 0.0001 |
V | 0.0001 | Sb | 0.0001 | —— | —— |
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